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飛諾飛科技（上海）有限公司

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國(guó)產(chǎn)金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器批發(fā)

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：上海市
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2025-05-05 16:30:09
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：500條
  • 所在地區(qū)：上海上海市
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-02-07
  • 最近登錄：2023-02-07
  • 聯(lián)系人：丁林林
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

詳情介紹

金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

 

技術(shù)規(guī)格

 

 

型號(hào)

 

 

工作電壓

 

 

耗盡區(qū)厚度 μm

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源） 真空下測(cè)量能量分辯率 1.2?

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源） 真空下測(cè)量峰道址202

A-AS20

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

A-AS26

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

B-AS20

5~300VDC

大于 1000

4.0~4.9?

189-191

B-AS26

5~300VDC

大于 1000

4.2~4.9?

189-191


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