金硅面壘型半導體探測器
概述
我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個保護層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強度測量的探測器。
技術(shù)規(guī)格
型號 |
工作電壓 |
耗盡區(qū)厚度 μm | 對比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 （Am-241 面源） 真空下測量能量分辯率 1.2? | 對比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 （Am-241 面源） 真空下測量峰道址202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4? | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 0.7~1.4? | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.0~4.9? | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于 1000 | 4.2~4.9? | 189-191 |
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