| 指標(biāo)名稱 | 參數(shù) | |
| 響應(yīng)光譜范圍(μm)*1 | 0.95±0.05~1.7±0.05 | |
| 像元填充率(%) | 100 | |
| 量子效率（%） | ≥65 | |
| 峰值探測(cè)率 (?????√????/????) | ≥1×1012 | |
| 峰值靈敏度(A/W) | ≥0.8 | |
| 有效像元率(%)*2 | 100 | |
| 響應(yīng)不一致性(%) | <4 | |
| 讀出方式 | IWR、ITR，可選 | |
| 讀出速率(MHz) | ≥10 | |
| 最高幀頻(fps) | >20k | |
| 增益檔位 | 8 | |
| 飽和電壓(V) | 1.6 | |
|
轉(zhuǎn)換增益(nV/e-) | 增益檔位1：1600 增益檔位2：800 增益檔位3：4000 增益檔位4：2665 | 增益檔位5：17 增益檔位6：84 增益檔位7：32 增益檔位8：160 |
*1焦平面溫度=25℃*2像元響應(yīng)信號(hào)與平均值偏差小于一定范圍內(nèi)的像元百分比。
線列探測(cè)器的機(jī)械性能：
| 指標(biāo)名稱 | 典型值 |
| 長(zhǎng)×寬×高(mm) | 28×15×6.2 |
| 重量(g) | ~9 |
| 焦平面規(guī)模 | 512×1 |
| 像元中心距(μm) | 25 |
| 像元尺寸(μm) | 25×250 |
| 感光面積(mm) | 12.8×0.25 |
使用環(huán)境和功耗參數(shù)
| 指標(biāo)名稱 | 典型值 |
| 工作溫度(℃) | -10~+60 |
| 存儲(chǔ)溫度(℃) | -20~+70 |
| 典型功率(W)*1 | <0.1 |
*1未開啟TEC，環(huán)境溫度=25℃，時(shí)鐘頻率=1MHz，VDDD=VDDA=3.3V，VBOP=2.4V，VBOUT=VREF=VNDET=2.3V
機(jī)械參數(shù)：該款探測(cè)器采用陶瓷封裝形式，充常壓高純氮?dú)猓軞げ馁|(zhì)為氧化鋁陶瓷，蓋板及引腳采用FeNiCoSi系合金，表面電鍍Ni/Au層，窗口焊接方式為In系釬焊，封蓋形式為電阻焊接。探測(cè)器外形尺寸為28mm(L)×15mm(W)×6.2mm(H)。外殼上有30根Φ0.45mm的針腳從背部引出，針腳的間距為1.778mm，用于焦平面電源與指令的輸入、焦平面探測(cè)信號(hào)和溫度傳感器的電學(xué)引出以及熱電致冷器的電源輸入。機(jī)械接口外觀及尺寸如下圖所示。
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