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無掩膜曝光機(jī)

美國IMP（Intelligent Micro Patterning,LLC）公司憑借多年的光刻設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和多項(xiàng)無掩模曝光技術(shù)，已成為無掩模紫外光刻領(lǐng)域的。國內(nèi)參考用戶較多！

     產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：
     微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
      紫外光直寫曝光,無需掩模，大幅節(jié)約了掩模加工費(fèi)用
     靈活性高，可直接通過電腦設(shè)計(jì)光刻圖形，并可根據(jù)設(shè)計(jì)要求隨意調(diào)整。
      可升級(jí)開放性系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
      按照客戶要求可從低端到高自由配置
     使用維護(hù)簡單, 設(shè)備耗材價(jià)格低。
      應(yīng)用范圍廣，目前廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、生物芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、傳感器、微化學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域。

    SF-100 型
      可配置汞燈光源和LED光源,多種波長曝光（385nm, 405nm）

      目鏡最小像素 1um
      1.25 micron with 4X reduction lens
      0.50 micron with 10X reduction lens
      0.25 micron with 20X reduction lens

  無掩膜曝光機(jī)

 平臺(tái)參數(shù)
      全自動(dòng)電腦控制位移
      高精度三維線性驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái)

 X and Y 軸運(yùn)動(dòng)：
      移動(dòng)范圍: 100--300mm
      準(zhǔn)確性: +/-200 nm per axis
      重復(fù)性: +/- 50 nm per axis
    

  Z 軸運(yùn)動(dòng)：
      移動(dòng)范圍: 25 mm
      準(zhǔn)確性: +/- 200 nm
      重復(fù)性: +/- 75 nm
     

 Theta 轉(zhuǎn)動(dòng)：
      轉(zhuǎn)動(dòng)角度: 360 degrees
      準(zhǔn)確性: +/-5 arc sec
      重復(fù)性: +/-2 arc sec

 
激光共聚焦對(duì)準(zhǔn)功能