二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態的羥基不飽和殘鍵，親水疏油，易于團聚，必須要對其進行功能化改性，以提高性能及應用范圍。
表面接枝率測定儀是一種用于測量二氧化硅納米顆粒表面上接枝分子或聚合物的含量或密度的儀器。它可以評估材料表面的功能化程度和接枝效果。
表面接枝率測定儀檢測原理：
LU 等科學家采用多洛倫茲分裂算法將游離 PEG 的NMR信號與接枝的 NMR信號區分開，從而可以使用1H-NMR對接枝過程進行原位監測。該方法的優點是不受接枝基團末端官能團類型、表面化學性質、納米粒子或組成的限制，它還為相關科學研究提供表征納米顆粒上基團接枝密度的關鍵和標準指南。低場核磁技術因為其設備成本較低，使用簡單，適用于宏觀樣品等特性，非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過MSE系列序列實現死時間內的1H核磁信號采集，大程度的采集到了接枝在顆粒表面的基團中H原子核的信號，利用外標法進行定量分析。
表面接枝率測定儀產品功能：
樣品：納米二氧化硅
規格：可裝入10mm口徑試管，裝樣高度不超過2cm
注意事項：樣品不得含有鐵磁性物質
表面接枝率測定儀產品優勢：
- 檢測成本低
- 快速簡單
- 適用于宏觀樣品等特性
- 無需任何業操作員培訓
表面接枝率測定儀應用案例：
納米顆粒表面積接枝基團
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