碲鎘汞探測器 2–14µm探測單位，10 Hz–1 MHz帶寬的HgCdTe緊湊型紅外探測模塊，帶光學(xué)浸入式光電導(dǎo)探測器
SM-I-12碲鎘汞探測器是一款緊湊型紅外探測模塊。基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)（PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36）集成了跨阻抗交流耦合前置放大器。可選擇手動調(diào)整信號的增益。3°楔形硒化鋅防反射涂層窗戶可防止不必要的情況干擾效應(yīng)。SM-I-12易于組裝在FTIR應(yīng)用的空間有限的測量系統(tǒng)中。
SM-I-12碲鎘汞探測器規(guī)格參數(shù):
| 參數(shù)（Ta = 20°C, 默認(rèn)設(shè)置） | 典型值 |
| 光學(xué)參數(shù) | |
| 截止波長 λcut-on (10%), µm | ≤2.0 |
| 峰值波長 λpeak, µm | 10.0±0.2 |
| 優(yōu)化波長 λopt, µm | 12 |
| 最高截止波長 λcut-off (10%), µm | 14.0±0.2 |
| 探測率 D*(λpeak, 20KHZ), cm·Hz1/2/W | ≥2.5×109 |
| 探測率 D*(λopt, 20KHZ), cm·Hz1/2/W | ≥1.3×109 |
| 輸出噪聲密度 vn (20kHZ), μV/Hz1/2 | ≤6 |
| 電學(xué)參數(shù) | |
| 電壓響應(yīng)度 Rv (λpeak, 100 kV/A), V/W | ≥1.35×105 |
| 電壓響應(yīng)度 Rv (λopt, 100 kV/A), V/W | ≥6.30×104 |
| 電壓響應(yīng)度 Rv (λpeak, 55 kV/A), V/W | ≥7.45×104 |
| 電壓響應(yīng)度 Rv (λopt, 55 kV/A), V/W | ≥3.45×104 |
| 低截止頻率 flo, Hz | 10 |
| 高截止頻率 fhi, Hz | 1M±0.1 |
| 輸出阻抗 Rout, Ω | 50 |
| 輸出電壓擺幅 Vout, V | 10 (RL = 1 MΩ*)) |
| 輸出電壓偏置 Voff, mV | max ±20 |
| 其他配置 | |
| 光敏元件材料 | HgCdTe |
| 光敏面積 AO, mm×mm | 1×1 |
| 窗片 | wZnSeAR |
| 接收角度 Φ | ~36° |
| 操作環(huán)溫要求 Ta, °C | 10 to 30 |
| 信號輸出接口 | MMCX |
| 供電接口 | AMPMODU 2×4 (male) |
| 安裝孔 | none |
| 風(fēng)扇 | no (external heatsink necessary) |
光譜響應(yīng)
探測器及模塊特征和應(yīng)用領(lǐng)域:
特征:
•2.0至14.0µm的寬光譜范圍
•高響應(yīng)度
•大動態(tài)范圍
•尺寸非常小
•使用方便
•快速交付
應(yīng)用領(lǐng)域:
•FTIR光譜
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