東莞綠洲水處理設備工程有限公司EDI
運行 操作 維護
說明書
東莞綠洲水處理設備有限公司
人身安全注意事項
電氣
系統要使用隔離電源變壓器。
EDI 及就地控制盤是帶電的，因此在進行 EDI 設備控制盤內部操作時，應 保證系統電器是處于關閉的位置。
電氣使用應有以下保證：
1、定期檢查各個接線端子的接線，保證接線牢靠穩固。
2、修復或更換性能不好的電器元件。
3、經常檢查電控箱密封性能，保證外部水滴不被進入。
4、處理電器故障或更換電器元件時，要由專業電氣人員進行。
5、在系統工作狀態下，禁止拆卸電源線。
機械
機械、工具使用應有以下保證：
由于 EDI MX-XXX 系列膜塊為帶電組件，有可能會發生觸電危險，因此 不可將例如工具、螺栓、螺母等金屬雜物放置在 EDI 膜塊上面。
非專業維護人員不得調節膜塊兩端的緊固螺栓。
若有發生膜塊滲水或泄漏情況時，應及時停止系統運行，并通知專業維護人員進行檢查處理。
本裝置任何時候都不能由未經培訓或無操作經驗的人員操作。除非仔細閱讀并理解本手冊內容及經過了相關培訓，否則不能操作該 EDI 設備。對于不符合本手冊要求的操作人員造成設備損壞， 本公司不承擔任何責任。
目 錄
一、 EDI的基本概述.......................................3
二、 EDI的技術與基礎系統設計.............................4
2.1 EDI進水條件....................................4
2.2 基礎系統設計 ..................................4
2.3 系統設計考慮的其他因素.........................7
三、 EDI模塊的操作、再生及清洗...........................7
3.1 EDI設備的操作...................................7
3.2 設備的化學清洗及再生............................9
l 顆粒/膠體污堵....................................10
l 無機物污堵.......................................10
l 有機物污堵.......................................11
l 微生物污堵.......................................11
四、 EDI系統運行中常見故障和處理........................22
一、 EDI的基本概述
EDI在傳統的水處理系統中可替代現有的混床，它能夠連續穩定地制取高純度的水。EDI的優點在于不用化學藥劑進行再生，因而不需要化學再生藥劑貯存罐及相應的中和池，而且無須對有害的化學物廢水進行收集、貯存及處理，結果使用 EDI后，大大的簡化了系統。
RO 的應用降低了對大型設備場地占用的要求，而EDI的技術的應用則地符合了這一點。由于EDI系統可以依據現場實際情況進行適配設計組合，保證設備廠房間內無高罐（混床）存在。在要求成套設備能迅速地安裝起來并以投入運行時，采用膜法系統的設備在這方面有著不可忽略的優勢。
還有一個特點是，EDI 排出的濃水中僅含有進水中的雜質成分，通常這種水的水質比預處理系統的進水水質要好，故濃水可以考慮直接地回收送至 RO的原水入水口， 這樣就有效地消除了對廢水的排放。相反，混床的再生是一個一次性的過程，由于使用化學藥劑再生離子交換樹脂床，其廢液中含有比一般ED濃水高3－4 倍的廢棄離子，這類廢液通常不回收到預處理系統中，而是排放于廢水中和池內。
RO－EDI 的運行過程是連續的，其生產的水質穩定，它不象混床在每一個再生周期的開始及結束階段因離子的泄漏而影響出水水質。這種連續運行的方式也簡化了操作，無需再設置考慮因再生工作需要調整相關設備的操作人員及操作程序。
歸納為以下幾點
l 工作連續制造純水，無間斷運行
l 在線再生，無須加鹽系統
l 不需要酸、堿化學試劑對樹脂再生
l 回收率高，廢水利于循環再用
l 出水水質穩定
l 容易實現膜塊組合達到制水能力要求
l 運行費用低，符合環保要求
EDI 的應用領域
⊙電廠化學水處理
⊙電子、半導體行業超純水
⊙精密機械行業超純水
⊙制藥工業工藝用水
⊙實驗室研究用超純水
⊙精細化工、精尖學科用水
⊙其他行業所需的高純水制備
二、 EDI的技術與基礎系統設計
2.1 EDI 進水條件
水源：反滲透 RO 產水，電導率 1-20μs/cm，電導率≤50μs/cm（NaCl）
PH 值：5.5—9.5(PH7.0—8.0 之間 EDI 可有電阻率性能)
溫度：15℃--35℃，（EDI 溫度在 25℃）
進水壓力（DIN）：0.2—0.4MPa
濃水進水壓力（CIN）：比 DIN 端壓力低 0.05—0.1MPa(要)
產水壓力(DOUT)：0.05—0.25MPa
濃水出水壓力( COUT)：比 DOUT 端壓力低 0.05—0.1MPa(要)
進水硬度：＜0.5ppm
進水有機物：TOC＜0.5ppm
進水氧化劑：Cl2 （活性）＜0.03ppm，O3（臭氧）＜0.02ppm，
HO.（羥基氧）＜0.02ppm
進水重金屬離子：Fe、Mn、變價性金屬離子＜0.01ppm
進水硅：SiO2＜0.5ppm（反滲透 RO 產水典型范圍是 50-150ppb）
進水總 CO2：＜5ppm
進水顆粒度：＜1μm
2.2 基礎系統設計
要保證一個良好的EDI系統設備運行穩定，出水品量優良，合理的整體水處理系統設計是不可忽略的。
系統設計因素包括：
l EDI 進水預處理系統（保證符合進水條件）
l 系統的智能保護和控制
l 設備容易操作和數據讀判
l 系統膜塊構成要求少
l 系統安全性設計
2.2.1 EDI進水預處理系統
目前圍繞應用EDI系統的預處理解決方案層出不窮，下面是本次系統處理方案。
二級 RO 工藝（主要組成）
阻垢劑加藥裝置
原水箱→原水泵→介質過濾器→活性炭過濾器→精密過濾器→高壓泵→
反滲透裝置→中間水箱→二級高壓泵→二級反滲透裝置→中間水箱→
↑ ↑ ↑
PH調節裝置 清洗裝置
增壓泵→EDI→純水箱
工藝特點：
二級 RO：通過二級 RO 方案技術處理，可以達到EDI設備進水條件的各項要求。
EDI 系統可以穩定且長期運行。
一個良好的 EDI系統的構成，主要就是其前處理部分在設計中就要考慮到盡可能滿足上面所提到的EDI進水條件，推薦的兩個方案中所配置的主要設備其功能如下：
介質過濾器：去除水中的顆粒、懸浮物、膠體等雜質，使出水的濁度小于 1，SDI≤4。保證 RO 不被這些雜質污堵。
活性炭過濾器：去除水中的活性余氯和一些氧化物、有機物等，保護RO反滲透膜、離子交換樹脂和離子膜不被氧化降解。
阻垢劑加藥裝置：去除水中部分的 Ca、Mg 離子，降低水中的硬度，防止 RO、EDI 設備里的膜元件結垢而造成污堵，導致元件失效。
2.2.2 系統的智能保護和控制
除了合理的 EDI 整體組合設計外，良好的電氣控制也是不可忽略的，由于 EDI 膜塊的主要工作是靠電場的作用來實現離子交換和樹脂再生，因而設計中要考慮對輸入膜塊的電流、電壓有一個限制，并且能被系統控制器關斷。為了保護EDI膜塊，輸入電源應在EDI 膜塊的任何水流低于設定值時自動關斷，同時也要考慮在產水電阻率低于工藝要求時，產水閥能自動切換至再生狀態，并有警示燈顯示。系統設計中要有電導率/電阻率表配套。
2.2.3 系統設計中應使設備容易操作和儀表的讀判
為了系統的操作方便、讀表容易，在設計中要考慮各種操作閥門、儀表配置在便于操作的一面，管路配置連接應避免不必要的冗余轉角，各個流量計、壓力表要有明確標示其功能及設定數據。導電度表、PLC、配電柜等控制元件，應組合在一個控制柜內，且控制柜的面板上的操作旋扭/按扭的位置也應設置在容易操作和觀察的地方。
2.2.4系統安全性設計
EDI膜塊外部配有電源端子接線盒，因此在系統設計中要考慮系統的絕緣，保證操作人員的人身安全。所有的膜塊應固定在金屬機架上，且與機架有良好的接觸，機架要設計有安全接地裝置。
由于水具有導電性能，電流能通過水導通到機架，因此，設計中還要在各個進水口及出水口設計有“T"形接地連接點，通過接地線固定連接到機架。
模塊的泄漏是不允許的，因此，一旦發生這種情形，要隨時停機檢查泄漏原因。通常模塊泄漏主要是因模塊兩端的緊固螺栓有松動而引起的，可以通過檢查和重新緊固螺栓得以解決泄漏。
螺栓的扭矩對于維持高產品水電阻率和防止泄漏是非常重要的，如果模塊松動除了造成泄漏，還會在濃水室引起鹽份結晶形成堵塞。防止泄漏是使用者的責任。下面的情況之一應該重新檢查和調整螺栓的扭矩：
1、當模塊運輸到達目的地后；
2、當模塊已經組合安裝在單元設備機架上后；
3、當單元設備貨運到達現場后；
4、用戶在現場調試操作前；
5、當供水壓力被確認和應用后；
6、在單元設備運行的個月內每周進行檢查，直至內部的離子膜組件已經被壓緊；
7、在產品水品質有下降的任何時候；
所有的模塊在制造廠都已經作過調整和緊固。在安裝后和模塊操作之前，應按照技術手冊中螺栓緊固示意圖進行緊固。注意螺栓的調整、緊固順序是非常重要的，合理的緊固順序可以避免離子膜組件扭曲變形并確保內部壓力水的一致性。
2.3 系統設計考慮的其他因素
1、考慮預留清洗系統的接口
2、考慮預留膜塊再生時能夠構建自循環管路
3、考慮系統的旁路裝置
4、濃水排放管須獨立設置且不能有背壓情況存在，要求避免與其他管路共管。
5、EDI 系統在連續運行狀態下能發揮好的效力，如果終端用戶的使用工況不能滿足此要求，應該考慮增設自循環裝置，減少系統設備間歇性停機次數。
三、 EDI設備的操作、再生及清洗
3.1 EDI設備的操作
一臺完整的EDI設備應該有以下部件構成
l EDI 膜塊
l 整流電源（移相調控器）
l 流量計
l 電阻率儀
l 壓力表
l PLC 控制箱
l 電源控制儀表
l 連接管路、閥門
l 接地保護連接線
3.1.1 設備投運前的準備工作
1、確認進入EDI的水質滿足、符合進水條
2、全面檢查EDI膜塊兩端板的緊固螺栓是否全部鎖緊
3、檢查LPC就地控制盤電源是否通電
4、檢查膜塊的直流電源接線是否正確
5、檢查確認輸送泵的電機運轉方向是否正確
6、檢查各個儀表工作電源是否符合設備要求
7、檢查各個儀表工作范圍設定是否符合現場設定要求
8、調整、設定各流量限位開關低值（產水、濃水進水、濃水排水）
9、設定進水壓力
10 濃水進水壓力
11 設定濃水排水壓力
12 設定產水壓力
13 檢查各個調節閥門是否處于開啟狀態（初期先調節開啟度全程的 1/2）
3.1.2 設備的投運
設備初期運行
調節產水、濃水進水、濃水排水之流量限位保護開關至設定值并固定鎖緊，在 PLC控制面板上將增壓泵開關調到手動檔，啟動增壓泵向膜塊注水至產水流量計、濃水給水、濃水排水流量計有水通過，調節產水閥門、濃水進水閥門、濃水排水閥門，使其達到設定值。隨后將EDI膜塊開關旋至自動檔，大約 5-10 秒后自動通電運行。
EDI 電流設定為3-4A。膜塊啟動后，電流值會逐漸上升至設定值。當系統進入穩定運行狀態后，開始記錄設備的各項運行數據。數據的記錄通常是每隔2小時記錄一次。
EDI系統為高壓設備，足以對人身安全造成傷害，因此在整流器工作時，不要觸碰它，并且確保在工作現場配備了必要的安全措施。
設備的正常運行
設備調試好后，就可以轉入正常的運行。先將設備按照手動停機方法的第 1、2 條進行設備停運，之后將PLC面板上的增壓泵開關調到自動檔，EDI膜塊的開關選擇轉至自動檔，系統便進入自動運行狀態。
提示：
系統進入自動運行的條件要是滿足：
1、給水箱液位開關處于中、高液位以上
2、產水箱液位處于中、低液位以下
3、產水、濃水進水、濃水排水流量在設定限位值以上
設備的停機
手動運行時停機
1、在 PLC 面板上將 EDI 膜塊的選擇開關切換至“停止"的位置
2、將增壓泵的選擇開關切換至“停止"的位置
3、關閉增壓泵進水閥門、產水閥門、濃水排放閥門
自動運行時停機
設備正常運行時在達到水箱設定液位值后會自動停止運行。
為了保證EDI的安全運行，系統在控制方面進行以下幾種自動連鎖控制，當不滿足以下其中條件之一時，設備也會自動停止運行。
1、濃水進水流量、濃水排水流量或產水流量之一低于各自的設定值時，限位開關會自動動作。
2、給水箱液位低或產水箱液位高時，液位開關會自動動作。
3、沒有變壓器工作的反饋信號
4、增壓泵過載
※ 提示：EDI 整流設備停運時，不得有RO（或相同水質的水）通過設備，否則設備在下次啟運時需要較長的時間進行再生。
設備長時間的停運
如果 EDI 系統停運時間超過 3 天時，就應做好長時間停運保護，以免EDI 內部微生物孳生。
1、切斷 PLC 控制柜內的所有電源開關。
2、允許 EDI 管路系統遺留水排空，避免其間存有死水。
3、關閉所有系統的閥門。
4、長時間停運后的重新啟動，膜塊可能需要消毒清洗或再生。
3.2 設備的化學清洗及再生
雖然EDI膜塊的進水條件在很大的程度上減少了膜塊內部阻塞的機會，但是著 設備運行時間的延展，EDI膜塊內部水道還是有可能產生阻塞，這主要是EDI進水中含有較多的溶質，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2 和較高的 PH 值，將會加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過化學清洗的方法對EDI膜塊進行清洗，使之恢復到原來的技術特性。
通常判斷 EDI 膜塊被污染堵塞可以從以下幾個方面進行評估判定：
1、在進水溫度、流量不變的情況下，進水側與產水側的壓差比原始數據升高 45%。
2、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水進水側與濃水排水側的壓差比原始數據升高45%。
3、在進水溫度、流量及電導率不變的情況下，產水水質（電阻率）明顯下降。
4、在進水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降35%。
膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式：
1、顆粒/膠體污堵
2、無機物污堵
3、有機物污堵
4、微生物污堵
EDI 清洗注意：在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學藥劑并熟悉安全操作規程，切不可在組件電源沒有切斷的狀態下進行化學清洗。
l 顆粒/膠體污堵
進水顆粒度≥5μm 時會造成進水流道堵塞，引起膜塊內部水流分布不均勻，從而導致 膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進水不是直接由 RO 產水端進入 EDI 膜塊，而是通過RO產水箱經過增壓泵供水，建議在進入EDI膜塊前端增設保安過濾器（≤0.2μm）。 在組裝EDI設備時，所有的連接管道系統應沖洗干凈以預防管道內的顆粒雜質進入膜塊。
l 無機物污堵
如果 EDI 進水含有較多的溶質且超出設計值或者回收率超過設計值時,將導致濃水室和陰極室的結垢，生成鹽類物質析出沉淀，通常結垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質的濃度很小，接觸時間也很短，但隨著運行時間的累加，仍有發生結垢的可能，這種硬度結垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法，使用低PH溶液在系統內部循環清洗，可以去除濃水室和陰極室的結垢。
當進水中的鐵和錳含量高，或者高TDS的水以外進入到EDI膜塊時，也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵。可以采用方案2進行清洗。
l 有機物污堵
當進水有機污染物TOC或TEA含量超過設計標準時，淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發生有機污堵。可以采用方案3的方法，用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環清洗可以將有機分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進行清洗。
l 微生物污堵
當設備運行環境適于微生物生長，或者進水中存在較多的細菌和藻類的時候，EDI膜塊和系統也會發生微生物污堵。可以采用方案3、4中的方法用高PH鹽水進行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴重時，可以采用方案5進行清洗。如果同時伴有無機物污堵， 可以按照方案6加入酸洗步驟。
對于極嚴重的微生物污堵，可以采用方案7或8以高PH 藥劑清洗。
下面是清洗方案選擇表：
| 問題/方案 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 濃水室結垢 | ☆ |
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| 淡水室結垢 |
| ☆ |
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| 有機物污堵 |
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| ☆ |
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| 有機物污堵和結垢 |
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| ☆ |
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| 微生物污堵 |
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| ☆ |
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| 微生物污堵和結垢 |
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| ☆ |
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| 嚴重的微生物污堵 |
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| ☆ |
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| 嚴重的微生物污堵和結垢 |
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| ☆ |
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| 極嚴重的微生物污堵 |
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| ☆ |
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| 極嚴重的微生物污堵和結垢 |
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| ☆ |
各清洗方案的主要操作步驟
| 步驟 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 步驟一 | 濃水室酸洗 | 酸洗 | 堿洗 | 酸洗 | 鹽水清洗 | 酸洗 | 鹽水清洗 | 酸洗 |
| 步驟二 | 沖洗 | 沖洗 | 沖洗 | 堿洗 | 沖洗 | 鹽水清洗 | 沖洗 | 鹽水清洗 |
| 步驟三 |
| 再生 | 再生 | 沖洗 | 消毒 | 沖洗 | 消毒 | 沖洗 |
| 步驟四 |
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| 再生 | 鹽水清洗 | 消毒 | 堿洗 | 消毒 |
| 步驟五 |
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| 沖洗 | 鹽水清洗 | 沖洗 | 堿洗 |
| 步驟六 |
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| 再生 | 沖洗 | 再生 | 沖洗 |
| 步驟七 |
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| 再生 |
| 再生 |
各清洗方法時間
| 清洗方法 | 時間（分） | 備注 |
| 酸洗 | 30-50 |
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| 堿洗 | 30-50 |
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| 鹽水清洗 | 35-60 |
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| 消毒 | 25-40 |
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| 沖洗 | ≥50 |
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| 再生 | ≥120 | 根據系統的工藝要求直至達到出水電阻率要求指標 |
單個模塊清洗時藥液配用量
| 型號 | 藥液配用量（升） | 備注 |
| MX-50 | 50 | 1、酸洗溫度 15-25℃ 2、堿洗溫度 25-30℃ 3、配藥液用水要是RO產水或高于RO產水的去離子水 |
| MX-100 | 80 | |
| MX-200 | 110 | |
| MX-300 | 150 |
對于膜塊數量大于 1 塊時，按表中配液的數量乘以膜塊數量。
清洗用化學藥品規格
所有化學藥品要使用推薦的等級或高于推薦的等級
| 藥品名稱 | 推薦等級 | 備注 |
| 鹽酸（HCl） | 化學純 或 試劑級
|
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| 氫氧化鈉（NaOH） | 化學純 或 試劑級 | 液態：50%w/w |
| 氯化鈉（NaCl） | 食品級、化學純 或 試劑級 | 食品級≥99.8% |
| 過氧化氫（H2O2） | 化學純
| 30% |
| 過氧乙酸（CH3COOOH） | 化學純 |
|
安全注意事項
1、在配置清洗藥液時，要穿戴好、防護眼鏡和防護手套。
2、需要清洗的設備管路要是與其他連接設備的連接管路隔離的。
3、需要清洗的設備其電源要是切斷并有“正在操作，不得送電"的安全警示。
4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過 0.15MPa。
清洗設備組件
1、清洗循環泵（耐腐蝕泵）
2、清洗水箱（PP）
3、耐腐蝕清洗軟管（與清洗泵適配）
4、耐腐蝕閥門（UPVC）
5、耐腐蝕壓力表
6、過濾器（≤1μm）
工具：pH 試紙（廣泛）；溫度計；計時表
清洗方案
清洗方案1
濃水室結垢清洗
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進、出水閥開啟，關閉EDI淡水進水閥和產水閥。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，調節濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、打開EDI進水閥和產水閥，同時對兩個水室進行沖洗。
9、檢測濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
10、各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
11、恢復 EDI 各個管路與其他系統的連接。
12、開啟 PLC 控制柜電源，向 EDI 膜塊送電，轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。軟化水設備。
清洗方案2
淡水室結垢清洗
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
清洗方案 3
有機物污堵清洗
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
10、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
11、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
12、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
清洗方案 4
有機物污堵和結垢
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路分別進入EDI膜塊的淡水室和濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
10、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
15、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
16、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
17、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
微生物污堵可采用方案 3 進行
微生物污堵和結垢可餓采用方案 4 進行
清洗放案 5
嚴重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、 濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置 0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。
10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置 2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
15、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
清洗方案 6
嚴重的微生物污堵和結垢
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗
液。
15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
清洗方案 7
極嚴重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
5、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗
液。
10、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
15、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
20、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
21、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
22、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
清洗放案 8
極嚴重的微生物污堵和結垢
1、記錄清洗前所有數據。
2、分離EDI設備與其他設備的連接管路
3、連接清洗裝置，使清洗泵通過進水管路進入EDI膜塊的淡水室、濃水室，再回到清洗水箱，開啟所有的進出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵，分別調節濃水、進水閥，以規定的流量循環清洗（酸洗步驟）。（參見附表）
6、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
8、分別檢測淡水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽（NaCl）清洗液。
10、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（鹽洗步驟）。（參見附表）
11、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
13、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的過氧化氫（H2O2）清洗液。
15、啟動清洗泵，分別調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（消毒步驟）。（參見附表）
16、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
18、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉（NaOH）+2%鹽（NaCl）的清洗液。
20、啟動清洗泵，調節淡水、濃水進水閥，以規定的流量循環清洗（堿洗步驟）。（參見附表）
21、停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離產水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續注入清水（RO產水），啟動清洗泵連續清洗（沖洗步驟）。
23、分別檢測產水、濃水出水側的水質，直至與進水側電導率相近。
24、調節各個閥門，恢復原始各設計流量數據。
25、停機，恢復EDI各個管路與其他系統的連接。
26、開啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，進行再生（再生步驟），直至電阻率達到出水要求為止。
27、轉入正常運行，并作好初次運行的數據記錄。
附表
| 模塊型號 | 循環清洗流量（m3/h） |
| MX-50 | 0.2m3/h |
| MX-100 | 0.5m3/h |
| MX-200 | 1m3/h |
| MX-300 | 1.5m3/h |
EDI模塊的再生
EDI 膜塊在清洗完成后，需要對其進行再生。
再生的步驟：
一、標準
1、確認EDI膜塊內沒有任何的化學藥品殘留存在。
2、使系統構建成一個閉路自循環管路。
3、按照正常運行的模式調節好所有的流量和壓力。
4、給EDI送電，調節電流從2A開始分步緩慢向EDI加載電流（不能超過4A）。
5、直至產水電阻率達工藝要求到或者≥12MΩ.cm
提示：膜塊的再生是一個比較長的時間，有時可能會長達10-24小時甚至更長的時間。
二、特別情況
1、對于在系統中無法構建系自循環管路系統可以按照下面的步驟進行再生
2、確認EDI膜塊內沒有任何的化學藥品殘留存在。
3、按照系統正常運行流量的百分之70%調節各個流量閥門。
4、各個壓力及壓力差按照操作規定進行調節。
5、給EDI送電，調節電流從2A開始分步緩慢向EDI加載電流（不能超過4A）。
6、直至產水電阻率達工藝要求到或者≥12MΩ.cm
提示：膜塊的再生是一個比較長的時間，有時可能會長達10-24小時甚至更長的時間。
四、 EDI系統運行中常見故障和處理
下表是 EDI 膜塊在運行過程中遇到的故障和排除方法，如按照此表操作仍不能解決
問題，請與本公司聯系。
| 問題 | 可能存在的原因 | 解決方法 |
| 膜塊漏水 | 膜塊在運輸、移動或者運行一段時間后 | 按照端板螺栓緊固要求重新進行緊固 |
| 膜塊接口處漏水 | 膜塊適配器松動 | 緊固適配器 檢查墊片 |
| 產水電阻率低 | 電源無電 電極接頭松動 電流設置不正確 不符合進水條件 一個或某個膜塊無電
閥門關閉 流量開關設置 進水壓力低或壓差不對 流量調節錯誤 膜塊污堵或結垢
內部流道有微量滲透 | 檢查、送電 檢查重新緊固 復測進水實際電導率，重新調整工作電流 檢查進水品質，尤其是DTS、Cl2、CO2 等 檢查所有的變壓器輸出是否正確，緊固接線螺絲 檢查確認閥門是否開啟 檢查調校開關設置位置 檢查原因重新調整 重新調整 判斷污堵或結垢原因，采用相應清洗方案進行化學清洗 重新緊固兩端板緊固螺栓 |
| 產水流量低 | 淡水室污堵
進水壓力低 進水流量太低 進水溫度太低 | 檢查、判斷污堵原因，采用相應清洗方案進行化學清洗 增加進水流速 調整進水流量 注意進水溫度（≥10℃） |
| 沒有濃水或濃水流量偏低 | 進、出濃水閥沒有設置好 濃水室污堵或結垢 | 調節進、出濃水閥增加流量 檢查、判斷污堵或結垢原因，采用相應的清洗方案進行化學清洗 |
| 膜塊逸出氣體太多 | 濃水排放管路堵塞或者有背壓 電流設定過高 | 排除堵塞或背壓 調整降低電流 |
| 產水的pH值過 高或過低 | 電流設定太高 | 調整降低電流 |
| 膜塊電流過大 | 進水電導率太高 膜塊缺水 | 檢查RO產水的TDS 檢查各閥門是否開啟，若已經開啟仍沒有水，應即時切斷電源，查找原因 |
EDI運行調試記錄表
設備設計能力（l/h） 記錄日期：
| 內容 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| 進水pH值 |
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| 進水硬度（CaCO3計） |
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| 進水溫度℃ |
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| 進水電導率（μs/cm） |
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| 膜堆直流電流（DCA） |
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| 淡水進水流量（l/h） |
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| 淡水進水壓力（MPa） |
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| 濃水進水流量（l/h） |
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| 濃水進水壓力（MPa） |
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| 濃水排放流量（l/h） |
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| 濃水排放壓力（MPa） |
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| 產水流量（l/h） |
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| 產水壓力（Mpa） |
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| 產水電阻率（MΩ.cm) |
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| 回收率(%) |
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