截面研磨速率高達(dá)1 mm/h*1！
新研發(fā)的PLUSII離子槍發(fā)射出高電流密度離子束，大幅提高*2了研磨速率。
- *1
- Si突出遮擋板邊緣100 µm，1個(gè)小時(shí)加工深度
- *2
- 研磨速率是本公司產(chǎn)品(IM4000PLUS:2014生產(chǎn))的2倍
截面研磨結(jié)果對(duì)比
(樣品：自動(dòng)鉛筆芯、研磨時(shí)間：1.5小時(shí))
本公司產(chǎn)品IM4000PLUS
ArBlade 5000
截面研磨寬度可達(dá)8 mm！
使用廣域截面研磨樣品座，加工寬度可達(dá)8 mm，十分適用于電子元件等的研磨。
復(fù)合型研磨儀
IM4000系列復(fù)合型(截面研磨、平面研磨)離子研磨儀。
可根據(jù)需求對(duì)樣品進(jìn)行前處理。
截面研磨
切割或機(jī)械研磨難以處理好的軟材料或復(fù)合材料的截面制作
平面研磨
機(jī)械研磨后樣品的精修或表面清潔
截面研磨加工示意圖
平面研磨加工示意圖
| 通用 | |
|---|---|
| 使用氣體 | Ar(氬)氣 |
| 加速電壓 | 0～8 kV |
| 截面研磨 | |
| 研磨速率(材料Si) | 1 mm/hr*1以上含 1 mm/hr*1 |
| 研磨寬度 | 8 mm*2 |
| 樣品尺寸 | 20(W) × 12(D) × 7(H) mm |
| 樣品移動(dòng)范圍 | X ±7 mm、Y 0~+3 mm |
| 離子束間歇加工功能 | 標(biāo)準(zhǔn)配置 |
| 擺動(dòng)角度 | ±15°、±30°、±40° |
| 平面研磨 | |
| 加工范圍 | φ32 mm |
| 樣品尺寸 | φ50 × 25(H) mm |
| 樣品移動(dòng)范圍 | X 0～+5 mm |
| 離子束間歇加工功能 | 標(biāo)準(zhǔn)配置 |
| 旋轉(zhuǎn)速度 | 1 r/m、25 r/m |
| 傾斜角度 | 0～90° |
- *1
- Si突出遮擋板邊緣100 µm，1個(gè)小時(shí)加工深度
- *2
- 使用廣域截面研磨樣品座時(shí)
選配
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 高耐磨遮擋板 | 耐磨遮擋板是標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍左右(不含鈷) |
| 加工監(jiān)測(cè)用顯微鏡 | 放大倍率 15×～100× 雙目型、三目型(可加裝CCD) |
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