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芬蘭Picosun原子層沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 產(chǎn)品類別:其他
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  • 更新時間:2025-04-26 13:26:09
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產(chǎn)品簡介

“世界上沒有一個ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)。" Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的,他現(xiàn)在是Picosun董事會成員之一。Picosun的創(chuàng)建者和技術(shù)執(zhí)行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已經(jīng)創(chuàng)造出的ALD系統(tǒng),他被譽為“世界上經(jīng)驗豐富的ALD反應(yīng)器設(shè)計師"。Picosun是ALD。及國內(nèi)。如今Picosun持續(xù)致力于ALD系統(tǒng)研究已經(jīng)長達50多年,研究團隊加在一起具有300多年的最直接的原子層沉積專項技術(shù)研究經(jīng)驗。Picosun建立于1997年,核心團隊成員都是由具有學(xué)術(shù)專業(yè)水平的科研人員組成,都是ALD方面的專家。Picosun團隊,被廣泛譽為“的ALD團隊",已經(jīng)對ALD貢獻了100多項,我們與的研究機構(gòu)和主流的工業(yè)單位密切合作,鞏固了我們在ALD研究的前沿位置。

詳情介紹

一、公司介紹

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1)Picosun – ALD者

“世界上沒有一個ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)。" Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的,他現(xiàn)在是Picosun董事會成員之一。Picosun的創(chuàng)建者和技術(shù)執(zhí)行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已經(jīng)創(chuàng)造出的ALD系統(tǒng),他被譽為“世界上經(jīng)驗豐富的ALD反應(yīng)器設(shè)計師"。

Picosun是ALD。及國內(nèi)。

如今Picosun持續(xù)致力于ALD系統(tǒng)研究已經(jīng)長達50多年,研究團隊加在一起具有300多年的最直接的原子層沉積專項技術(shù)研究經(jīng)驗。Picosun建立于1997年,核心團隊成員都是由具有學(xué)術(shù)專業(yè)水平的科研人員組成,都是ALD方面的專家。Picosun團隊,被廣泛譽為“的ALD團隊",已經(jīng)對ALD貢獻了100多項,我們與的研究機構(gòu)和主流的工業(yè)單位密切合作,鞏固了我們在ALD研究的前沿位置。

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2)PICOSUN公司的承諾

芬蘭PICOSUN公司ALD系統(tǒng)的設(shè)計保證了能夠?qū)Ω鞣N工藝參數(shù)的嚴(yán)格控制,確保得到極度均勻、高重復(fù)性的高質(zhì)量薄膜。設(shè)備容易操作、高度可靠。

、R-200 Adv 原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

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1. 腔體:采用雙層腔體結(jié)構(gòu)。

1.1 真空腔體:

(1)加熱溫度≥650℃;

(2)真空腔體無水冷系統(tǒng);

(3)真空腔體所有接口采用KF法蘭和Viton密封圈密封,腔體漏率低于2x10-8mbar.l/s。

1.2 反應(yīng)腔:

(1)反應(yīng)腔可沉積200 mm基片1個, 兼容小基片;

(2)反應(yīng)腔上配備6個獨立的前軀體源管路接口,與前軀體源管路連接,前驅(qū)體蒸汽相對襯底流動模式為噴灑淋浴模式;

(3)反應(yīng)腔沉積溫度,熱工藝沉積溫度600 °C。

(4)基片加載采用氣動基片加載/卸載系統(tǒng),由電腦自動控制;

(5)配備顆粒捕捉器及反應(yīng)殘余物燃燒器。

2. 前軀體輸運系統(tǒng):

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(1)配備6路獨立的前軀體源管路。

(2)配置的質(zhì)量流量、壓力傳感器、脈沖閥,采用VCR金屬密封方式密封。

(3)每個液態(tài)源單獨配備帕爾帖(Peltier)溫度控制器1套。

(4)加熱源具用boosting功能,加熱溫度不低于300℃。

3. 等離子模塊:

(1)配備遠程等離子模塊,包括匹配網(wǎng)絡(luò)、等離子體發(fā)生器、包括4路等離子氣路;

(2)每條管路單獨配置的質(zhì)量流量、壓力傳感器、脈沖閥;

(3)等離子ALD和熱ALD共用一個腔,等離子體發(fā)生器與基底必須保持足夠距離,功率:100-3000W可調(diào)。

4. 真空系統(tǒng):配備耐腐蝕真空干泵;真空泵抽速≥400m3/h。

5. 預(yù)真空系統(tǒng):預(yù)真空腔及其配備單獨的干泵,可以傳送200 mm (8英寸) 基片,。

6. 控制系統(tǒng):

   (1) 觸摸屏PC用于ALD反應(yīng)器的操作,的控制軟件和電子電路;人性化的HMI界面,系統(tǒng)可用于處方recipe 模式或手動模式;

   (2) 操作界面友好,具備程序儲存、讀取功能,能夠輸出實驗數(shù)據(jù),顯示24個小時內(nèi)設(shè)備系統(tǒng)各部分參數(shù)的時間趨勢圖,包括各部分質(zhì)量流量、溫度、壓強的時間趨勢圖,用于監(jiān)測設(shè)備穩(wěn)定性;

   (3) 沉積過程中監(jiān)測顯示每個源管路的脈沖壓強,顯示脈沖壓強與時間關(guān)系圖,用于監(jiān)測脈沖穩(wěn)定性;

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