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 一、公司介紹

日本Crestec公司在東京成立于1995年，我們交付了EB光刻系統(tǒng)，遍布50多個客戶。我們也提供EB代工服務。

部分客戶包括：

湖南大學（中國）、上海應用物理研究所（中國）、西安交通大學（中國）、香港城市大學（香港）、工業(yè)技術(shù)研究院 (ITRI)（中國臺灣）、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 (AIST) （日本）、東京大學（日本）、豐田技術(shù)研究所 （日本）、豐橋工業(yè)大學（日本）、東北大學（日本）、三重大學（日本）、大阪大學（日本）、東京工業(yè)大學（日本）、理工大學（PTU-日本）、富山縣立大學（日本）、加州大學伯克利分校（美國）、Rubio Pharma y Asociados and RD Research & Technology（墨西哥）、劍橋大學（英國）、巴伊蘭大學（以色列）、阿卜杜拉國王科技大學（沙特阿拉伯）、莫斯科物理技術(shù)學院（俄羅斯）、薩拉托夫國立大學（俄羅斯）、ICFO – 光子科學研究所（西班牙）、馬德里理工大學（西班牙）、CNR 萊切（意大利）、卡坦扎羅大希臘大學（意大利）、海得拉巴大學（印度）

二、日本CRESTEC電子束光刻系統(tǒng)（EBL）

納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀納米科技提供 的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。 


型號包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小線寬可達8nm，最小束斑直徑2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技術(shù)參數(shù)：
1.最小線寬：小于10nm（8nm available) 
2.加速電壓：5-50kV 
3.電子束直徑：小于2nm 
4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圓尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 
7.描電鏡分辨率：小于2nm

主要特點：
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍 
2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù) 
3.采用場尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率（address size)可達0.0012nm 
4.采用軸對稱圖形書寫技術(shù)，圖形偏角分辨率可達0.01mrad 
5.應用領(lǐng)域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納 米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測量等。