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1.描述

TLP/VF-TLP測(cè)試系統(tǒng)是一種先進(jìn)的IV曲線表征系統(tǒng)，設(shè)計(jì)用于模擬ESD事件(TLP/ VF-TLP/ HMM/ HBM/MM脈沖)和監(jiān)控器件(半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等)。)在高功率時(shí)域中。與之前的型號(hào)ES620和ES621相比，ES622具有更高的規(guī)格、更多的功能、更大的擴(kuò)展能力和更好的軟件體驗(yàn)。

TLP(傳輸線路脈沖)測(cè)試功能旨在滿足最新的ANSI/ESD STM5.5.1測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，向器件施加高質(zhì)量矩形脈沖，并記錄器件兩端的電壓和通過(guò)器件的電流。這給出了脈沖式IV曲線，允許用戶表征器件在ns時(shí)間窗口內(nèi)的瞬態(tài)響應(yīng)。集成了先進(jìn)的自動(dòng)器件故障檢測(cè)方法，如DC抽查(V或I)、靜態(tài)IV曲線、熔絲、擊穿和偏置源波動(dòng)。

VF-TLP測(cè)試旨在模擬CDM速度ESD事件，并在高速(如上升時(shí)間< 100 PS)ESD瞬態(tài)下捕捉DUT上的電壓和通過(guò)DUT的電流。這允許用戶研究器件的響應(yīng)速度和峰值箝位電壓。

HMM(人體金屬模型)測(cè)試功能是IEC61000-4-2系統(tǒng)級(jí)ESD的替代測(cè)試方法。它為低歐姆器件提供了與理想標(biāo)準(zhǔn)波形等效的波形，并消除了元件或晶圓級(jí)測(cè)試的許多IEC電子槍測(cè)試問(wèn)題，如重復(fù)性、不精確的槍尖、阻抗不匹配、來(lái)自未屏蔽繼電器的EMI干擾以及具有大接地層和耦合層的特殊設(shè)置等。

2.特征

• 最可配置的TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

• 超緊湊設(shè)計(jì)系統(tǒng)

• 多線程處理，測(cè)試速度更快

• 20 A、40A、50 A、100 A、125A、150 A型號(hào)可供選擇(可定制)

• 可用軟件實(shí)現(xiàn)高級(jí)系統(tǒng)和附件監(jiān)控
  (開(kāi)關(guān)壽命監(jiān)控器、電子校準(zhǔn)模塊、示波器衰減調(diào)節(jié))

• 測(cè)試功能可擴(kuò)展vf-TLP、CC-TLP、HMM、HBM、MM選項(xiàng)

• 多種自動(dòng)故障檢測(cè)方法
  (DC抽查(V或I)或IV掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化)

• 軟件控制脈沖:突發(fā)、連續(xù)、IV曲線表征

• 上升時(shí)間選項(xiàng)從40 ps到1200 ns *(取決于型號(hào)，可定制)

• 脈沖寬度選項(xiàng)從1 ns到2000 ns *(取決于型號(hào)，可定制)

注EOS系列支持更長(zhǎng)的脈沖應(yīng)用，脈沖寬度從幾百納秒到幾毫秒。

3.應(yīng)用程序

• ESD性能表征

• 晶圓/封裝級(jí)ESD測(cè)試

• 系統(tǒng)/電路模塊ESD測(cè)試

• 安全操作區(qū)(SOA)測(cè)試

• 電荷恢復(fù)時(shí)間測(cè)試

• 太陽(yáng)能電池板二極管特性

• 觸摸屏ITO跡線保險(xiǎn)絲和擊穿測(cè)試

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn):

• TLP / VF-TLP選項(xiàng)符合ANSI/ESD STM 5.5.1

• HMM選項(xiàng)符合ANSI/ESD SP5.6標(biāo)準(zhǔn)

• HBM選項(xiàng)符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標(biāo)準(zhǔn)

• MM選項(xiàng)符合ANSI/ESDA SP5.2標(biāo)準(zhǔn)

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